零高斯腔（Zero Gauss Chamber）是 Magnetic Shield Corp. 推出的核心研究级产品，旨在构建超低磁场环境。该产品采用高磁导率的 MuMETAL® 合金制造，经实践验证可有效衰减环境磁场与地球磁场（0.25-0.65 高斯），在多层结构设计下，腔内磁场可降至毫高斯级别，为科学实验、工业检测及商业合规验证提供稳定的低磁场实验室空间。

产品广泛应用于全球数百所大学、私人研究公司、国家实验室，以及需满足军事或消费类监管合规要求的企业。其核心优势在于采用经应力退火处理的高磁导率（μ）MuMETAL® 合金，可实现对直流磁场、交流磁场（最高 100 千赫兹）及 H 场的干扰控制，确保腔内磁场环境的一致性与稳定性。

零高斯腔的高效性源于 “多层屏蔽” 设计：当两个或多个同心布置的磁屏蔽层串联使用且实现磁隔离时，外部磁场的衰减效果会呈倍数叠加，其衰减性能显著优于同等总壁厚的单层屏蔽结构。产品提供标准型号与定制化方案，可满足不同场景下的使用需求。

一、标准型号规格

1.1 核心参数表

标准零高斯腔均采用三层 MuMETAL® 屏蔽结构，外部磁场衰减倍数可达 1000-1500 倍。每层屏蔽均为 “一端封闭、一端开口” 的圆柱形结构，开口端配备紧密贴合的可拆卸盖板（圆柱形结构为吸收外部磁通量最优几何形态，可高效构建屏蔽空间）。具体参数如下：

1.2 衰减性能说明

•衰减倍数计算依据：通过理论公式估算，即 “屏蔽前测得磁场强度与屏蔽后测得磁场强度的比值”。

•影响因素：通常情况下，腔体体积越大，衰减性能越低，因此大直径腔体需采用更厚的 MuMETAL® 层以保证衰减效果。

•测试条件：上述衰减比值基于室温环境、0.5 高斯交流磁场下的估算值，实际使用中，不同操作环境（如温度、外部磁场强度）会导致衰减结果存在差异。

二、定制化腔体设计参数

客户可根据需求定制零高斯腔，以下为关键设计要素及定制规格参考，如需定制需联系工程部门提供设计草图或详细描述，以获取精准报价。

2.1 关键设计因素

外部磁场强度（H₀）

•常规使用场景：零高斯腔多在地球磁场（约 0.5 高斯）环境下运行，但多数环境中存在额外磁场源（通常为 60 赫兹及其谐波），需将所有周围磁场纳入屏蔽需求考量。

•强磁场场景：若外部磁场较强，外层屏蔽可采用高饱和 NETIC® 合金制造，以提升抗干扰能力。

衰减倍数（A）与屏蔽层数

•层数确定：屏蔽层数取决于所需衰减倍数，标准场景需 3 层，可根据需求增加额外层数。

•核心参数：客户需明确外部磁场强度（H₀）、腔内最大允许磁场强度（Hᵢ）及所需衰减倍数；若需腔内磁场降至 10 毫高斯及以下，需额外增加屏蔽层并配置消磁线圈（Degaussing Coil）。

内腔尺寸

•直径要求：为保证衰减效果，内腔直径应尽可能小（衰减性能与直径成反比）。

•深度要求：内腔深度建议为内腔直径的 2-3 倍，以提供足够的工作空间。

操作环境

•温度范围：MuMETAL® 合金的适用温度为 - 452℉（-269℃）至 850℉（454℃），常规室温环境无使用问题；高低温环境可能影响可选配消磁线圈的绝缘性能。

•真空环境：真空条件下禁止使用塑料及多数涂层材料，避免材料脱气（outgassing）影响腔体性能。

壁厚

•最小壁厚：零高斯腔制造的最小壁厚为 0.025 英寸（0.64 毫米）。

•壁厚调整：大直径腔体需采用更厚的材料以提升衰减性能；MuMETAL® 合金经制造与完美退火（Perfection Anneal）后质地较软，需保证足够壁厚以维持腔体结构完整性，确保其可自主支撑且能承载被屏蔽物品的重量。

接入孔与盖板

•接入孔要求：孔位由客户指定（用于连接内部电源与信号线），需满足 “数量最少、尺寸最小” 原则，以减少磁场干扰；孔轴线需与环境磁场垂直（横向）；任意两孔间距不小于较大孔的直径。

•干扰抑制：可通过在腔体外表面焊接圆柱形延伸段、使用 SPIRA-SHIELD 或 Co-NETIC® 编织套管屏蔽线缆，大幅降低磁场干扰。

•盖板设计：可拆卸盖板边缘带有 1.0 英寸（25.4 毫米）的唇边，可防止磁场泄漏；盖板中心设有 0.88 英寸（22 毫米）的孔，便于手指伸入拆卸。

2.2 定制规格参考表

2.3 定制沟通方式

如需定制，需向工程部门提供：额外孔位的尺寸与位置、特殊制造及表面处理需求；可通过邮件发送图纸、草图或文字描述至 shields@magnetic-shield.com，获取及时报价。

三、正确使用与维护

3.1 冲击与损坏处理

常规操作不会导致零高斯腔的磁屏蔽性能显著下降；若腔体遭受剧烈冲击或变形，需立即送回 Magnetic Shield Corp. 进行检查、测试与维修，维修完成后会对单个屏蔽罐与盖板重新进行退火处理。

3.2 安装

公司提供多种尺寸的支架（Cradle），可将零高斯腔固定在稳定的水平位置，如需该配件可在咨询时提出报价需求。

3.3 定向

为达到最佳屏蔽效果，需调整腔体方向：使零高斯腔的轴线及孔轴线与环境磁场垂直。具体操作可通过旋转腔体，直至腔内磁场强度降至最低。

3.4 消磁

为实现腔内最低磁场水平、保证长期稳定性与磁场均匀性，建议定期使用消磁线圈：通过 60 赫兹电流驱动线圈使腔体饱和，随后缓慢降低电流，将剩余磁性降至最低。公司提供标准型与高温绝缘型消磁线圈供选择。

原厂介绍

MSL公司是制造磁屏蔽的领先专家。公司有着超过65年的历史，MSL公司凭借着丰富经验和专业知识，并新兴应用提供高质量磁屏蔽解决方案。领域涉及量子技术、医疗研究，电动汽车，航空航天等应用。