SOI晶圆

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品牌：KST

特点：对微机电系统器件制造的工时与良率等有非常大的帮助
可大幅降低成本
能让硅晶圆拥有前所未有的埋氧层厚度
可提早实现硅光（硅光子学）与超高耐压的半导体功率器件

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产品详情

SOI（绝缘层上硅）晶圆是在氧化膜上形成硅单晶层构造的晶圆。

应用

• 硅光芯片

• IGBT器件

• 功率半导体芯片

• MEMS微机电系统

本公司除了一般的SOI之外，还可提供空腔SOI晶圆、Thick-BOX®SOI晶圆等特殊晶圆。

空腔SOI晶圆对微机电系统器件制造的工时与良率等有非常大的帮助，可大幅降低成本。此外，Thick-BOX SOI晶圆通过本公司独有的超厚膜热氧化膜加工技术，能让硅晶圆拥有前所未有的埋氧层厚度，可提早实现硅光（硅光子学）与超高耐压的半导体功率器件。

产品示意图

指标范围

※活性层的薄膜晶圆是融合信越化学工业（株）的薄膜SOI技术与本公司厚膜技术的合作产品。

生产设备举例

Thick-BOX® SOI

Thick-BOX®SOI晶圆采用本公司独有的厚膜热氧化膜技术加工而成，是具有厚Box层的SOI晶圆。可应用于超高耐压半导体功率器件。此外，在加速度传感器、致动器等需要将SOI晶圆的氧化膜作为牺牲层进行蚀刻加工的体硅型微机电系统（Bulk-type MEMS）上尤为有效。牺牲层较厚时，能够确保结构体在动作时拥有足够的间距，可解决黏连（Sticking）问题、扩大垂直方向的动作范围等。并且，这有助于提高良率，还能以新的思路推进器件开发并为之做出贡献。

Thick-BOX® SOI示意图（厚度可以根据客户要求定制）

Thick-BOX® SOI应用举例