ZASWA-2-50DRA+ 型吸收式单刀双掷射频开关

50欧姆 直流～5000MHz

核心优势

•    宽频带，覆盖直流²至5000MHz

•    高隔离度，典型值70dB

•    开关速度极快，典型值20纳秒

•    低视频串扰，典型值45mV（峰峰值）

封装类型：CY353

产品概述

ZASWA-2-50DRA+是一款高性能高隔离度固态吸收式单刀双掷射频开关，具备宽频带、快开关速度和优异的射频性能，是迷你电路公司经典开关型号ZASWA-2-50DR+的理想替代款，更多细节请参考应用笔记AN-80-021。其宽频带、高隔离度和快开关的特性，使其成为多款射频应用及系统的通用之选。

主要特性

注：所有射频接口均需做隔直处理或保持0伏直流电位，低频特性由射频端口耦合电容的取值决定。

产品特点

•    宽频带，覆盖直流²至5000兆赫

•    插入损耗低，典型值2.5分贝

•    内置TTL驱动器

•    开关速度快，上升/下降时间典型值4纳秒

•    工作温度范围宽，-20℃至+85℃

典型应用

•    蜂窝通信

•    工业、科学和医疗频段

•    个人通信网（PCN）

•    自动化开关网络

•    军工领域

产品概述

ZASWA-2-50DRA+是一款50欧姆高隔离度吸收式单刀双掷射频开关，专为射频/无线应用设计，工作频带覆盖直流²至5000兆赫，兼具低插入损耗和高隔离度的优势。该产品采用±5伏双电源供电，内置驱动电路，可通过标准电压等级轻松实现开关控制。

原理图及应用电路

射频电气指标（环境温度25℃，供电电压±5V，工作频带直流-5000MHz）

注1：低频段（＜100兆赫）下，开关的动态范围会下降。

绝对最大额定值

注2：所有射频接口均需做隔直处理或保持0伏直流电位，低频特性由射频端口耦合电容的取值决定。

真值表（控制电压状态选择所需的开关状态）

注：导通=低插入损耗状态；关断=高隔离度状态

同轴接口布局

同轴接口功能

外形尺寸图（封装CY353）

外形尺寸（括号内为单位，英寸/毫米）

更多详细技术信息

更多产品信息可访问我司官网，在首页输入产品型号即可查询。