光电导天线

产品中心

类别：

品牌：

进口（立陶宛）

特点：

•采用低温生长的砷化镓（LT-GaAs）作为光电导体
•砷化镓衬底总厚度约为350mm
•单个天线衬底的尺寸为1.5×5mm
•天线采用金锗镍金属化工艺制成

产品负责人：

Richard

光电导天线（用于800nm波长激光器）

太赫兹发射器/探测器由集成了光电导体的微带天线组成。采用低温生长的砷化镓（LT-GaAs）作为光电导体。砷化镓衬底总厚度约为350mm，单个天线衬底的尺寸为1.5×5mm。天线采用金锗镍金属化工艺制成。有两种类型的发射天线可供使用（图1和图2）。

图1. 平行条形天线。所有尺寸单位均为微米。

图2. 7微米间隙，平行条形天线。所有尺寸单位均为微米。

图3. 太赫兹发射器的辐射功率与偏置电压的关系

图4. 使用TERAVIL LTG-GaAs 1太赫兹天线检测到的FFT频谱

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