TMS-2000 系统以非接触方式测量晶圆平整度，在极端工作环境中抗干扰能力强，可测晶圆尺寸范围上至 12 英寸，其测量精度可达 1nm。

相较于传统晶圆测厚技术的测量精度易受温度变化或环境震动影响，TMS-2000 的创新式硬件设计使其能有效抵抗环境干扰。

TMS-2000 的高速测量能力和一体式紧凑设计使其成为测量各种从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂，SOI 等材料晶圆的理想平台。

产品特性

TMS-2000 可实现 1nm 精度的晶圆测厚

•    可应对温度变化和机械震动等环境干扰的高精度测量

•    亚纳米级重复性

•    全晶圆范围的厚度测量，支持客制化扫描模式

•    照明 - 探测一体式光路

•    支持跨样本定量分析和对比

•    可适用于重掺硅、功率半导体、多层结构晶圆等

•    测量结果符合 SEMI 国际标准

•    更高的性价比

测量原理

TMS-2000 的测量原理是基于干涉检测技术，使用高速扫频激光作为光源。

TMS-2000 凭 借 其 高 速、高精度、高灵敏度等特性，广泛应用于晶圆抛光等工艺流程。

测量方法

应用案例

客制化

规格参数

请注意上述规格可能根据实际情况有不同。

上述规格均为室温 23 土 1℃，湿度 80%( 无结霜 )，暖机 1 小时后测得。

*1 该规格为 Santec 标准硅晶圆在同一位置重复 30,000 次测量后所得的标准偏差。

*2 支持定制化，请联系我们。