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InP基雪崩光电二极管单光子探测器(国产)

品牌:

国产

特点:

•集成三级 TEC,允许工作温度低至 -50℃
•◦优化 0.95 至 1.7 μm 波长响应

产品负责人:

Richard

产品详情

基于 InGaAs/InP 半导体材料、以雪崩光电二极管(APD)为核心器件的单光子级光信号探测设备。用于将近红外波段(典型 0.95–1.7μm)的单个光子转化为可识别的电信号,实现极弱光信号的精准捕捉。

应用领域

•    激光雷达

    弱光探测

    量子通信

    生物成像

    环境监测

产品详情

(1)InGaAs / InP 雪崩单光子探测器


产品特点:

    集成三级 TEC,允许工作温度低至 -50℃

    优化 0.95 至 1.7 μm 波长响应

产品参数:

    探测效率(1064 nm / 1550 nm):≥ 50%

    暗计数:≤ 1 KHz

(2)InGaAs / InP 单光子探测模块


产品特点:

    死时间 ≥ 100 ns,可根据用户需求设定

    高可靠性、高集成度

    输出 LVTTL 电平,支持计数与时间相关计时,可根据用户需求定制

产品参数:

    探测效率(1064 nm & 1550 nm):≥ 10%

    暗计数:≤ 1 KHz

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